销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69.4W

阈值电压：3.6V@250μA

栅极电荷：64nC@10V

输入电容：3.25nF@30V

连续漏极电流：60A

类型：1个N沟道

导通电阻：2.8mΩ@10V，15A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69.4W

阈值电压：3.6V@250μA

栅极电荷：64nC@10V

输入电容：3.25nF@30V

连续漏极电流：60A

类型：1个N沟道

导通电阻：2.8mΩ@10V，15A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69.4W

阈值电压：3.6V@250μA

栅极电荷：64nC@10V

输入电容：3.25nF@30V

连续漏极电流：60A

类型：1个N沟道

导通电阻：2.8mΩ@10V，15A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISA18BDN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36.8W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：6.2nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：60A

类型：MOSFET

导通电阻：6.83mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISA18BDN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36.8W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：6.2nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：60A

类型：MOSFET

导通电阻：6.83mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

功率：5.4W€83W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：130nC@10V

输入电容：4.98nF@15V

连续漏极电流：60A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.8mΩ@10V，20A

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：250nC@10V

输入电容：8.65nF@15V

连续漏极电流：60A

类型：1个P沟道

导通电阻：3.9mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7174DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：4.5V@250μA

栅极电荷：72nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.77nF@40V

连续漏极电流：60A

类型：1个N沟道

导通电阻：7mΩ@10A，10V

漏源电压：75V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：1.4V@250μA

栅极电荷：585nC@10V

输入电容：20nF@10V

连续漏极电流：60A

类型：1个P沟道

导通电阻：1.95mΩ@25A，10V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7174DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：4.5V@250μA

栅极电荷：72nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.77nF@40V

连续漏极电流：60A

类型：1个N沟道

导通电阻：7mΩ@10A，10V

漏源电压：75V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

阈值电压：1.4V@250μA

功率：6.25W€104W

连续漏极电流：60A

导通电阻：1.95mΩ@25A，10V

工作温度：-55℃~+150℃

漏源电压：20V

栅极电荷：585nC@10V

类型：1个P沟道

输入电容：20nF@10V

包装清单：商品主体 * 1