采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS64DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：40A
导通电阻：1.8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7410TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：91nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8676pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：P-Channel
导通电阻：7mΩ@16A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1E002SPTCL
工作温度：150℃
功率：200mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：250mA
类型：P-Channel
导通电阻：1.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8327L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€30W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@20V
连续漏极电流：12A€14A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BTB16-600CWRG
断态峰值电压(Vdrm)：600V
保持电流(Ih)：35mA
浪涌电流(Itsm)：160A
工作温度：-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms))：16A
门极触发电流(Igt)：35mA
包装方式：管件
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：674，"MI+"：250}
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRF7S21080HR3
功率：65V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：65V
漏源电压：65V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：116000，"15+"：1431，"16+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT01N60T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BTB08-600TWRG
断态峰值电压(Vdrm)：600V
保持电流(Ih)：10mA
浪涌电流(Itsm)：80A
工作温度：-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms))：8A
门极触发电流(Igt)：5mA
包装方式：管件
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"09+"：152000，"11+"：98746}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：254mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：14194，"08+"：50，"09+"：822}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4108NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€96.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：11490，"10+"：2950，"11+"：18000，"12+"：9000，"14+"：942，"9999"：500，"MI+"：13000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF04N60ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：44600，"07+"：75，"08+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03R
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：973}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7E2R7-30B，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6212pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOSHIBA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK31V60X，LQ
工作温度：150℃
功率：240W
阈值电压：3.5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：30.8A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@9.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR2405TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N-Channel
导通电阻：16mΩ@34A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y22-60ELX
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2592pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ560EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@25V
连续漏极电流：30A€18A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：200，"16+"：50，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4099LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：750pF@30V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D8LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.8Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9014TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：P-Channel
导通电阻：500mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：7Ω@1.1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：T405-700B-TR
断态峰值电压(Vdrm)：700V
保持电流(Ih)：10mA
浪涌电流(Itsm)：30A
工作温度：-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms))：4A
门极触发电流(Igt)：5mA
包装方式：卷带（TR）
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS040N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€36W
阈值电压：3V@26µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@50V
连续漏极电流：6.5A€21A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N60DM6
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：607pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：338mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU110PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
