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    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5462A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.142nF@25V

    连续漏极电流:42A€8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4464AP-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4464AP-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4464AP-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.574nF@25V

    连续漏极电流:7.3A€33A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:17mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:25A€5.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4464AP-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4464AP-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4464AP-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.574nF@25V

    连续漏极电流:7.3A€33A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:17mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT08N06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:107W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:72nC@10V

    输入电容:3nF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:240pF@30V

    导通电阻:7mΩ@10V,20A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    强茂 Mosfet场效应管 PJD11N06A-AU_L2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJD11N06A-AU_L2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD11N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W€30W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:9.3nC@10V

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:11A€3.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:75mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    MINOS Mosfet场效应管 MDT20N06
    MINOS Mosfet场效应管 MDT20N06

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT20N06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:44W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:21nC@10V

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:66pF@25V

    导通电阻:25mΩ@10V,10A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:39
    MINOS Mosfet场效应管 MDT20N06
    MINOS Mosfet场效应管 MDT20N06

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT20N06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:44W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:21nC@10V

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:66pF@25V

    导通电阻:25mΩ@10V,10A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:31
    强茂 Mosfet场效应管 PJD11N06A-AU_L2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJD11N06A-AU_L2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD11N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W€30W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:9.3nC@10V

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:11A€3.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:75mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y8R8-60ELX 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y8R8-60ELX 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y8R8-60ELX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:194W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:123nC@10V

    输入电容:6.695nF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    谷峰 Mosfet场效应管 G86N06K 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G86N06K 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G86N06K

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:77nC@10V

    输入电容:2.86nF@25V

    连续漏极电流:68A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5462A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.142nF@25V

    连续漏极电流:42A€8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4464AP-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4464AP-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4464AP-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.574nF@25V

    连续漏极电流:7.3A€33A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:17mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    MINOS Mosfet场效应管 MDT30N06L
    MINOS Mosfet场效应管 MDT30N06L

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT30N06L

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:44W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:21nC@10V

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:66pF@25V

    导通电阻:25mΩ@10V,10A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5462A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.142nF@25V

    连续漏极电流:42A€8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    MINOS Mosfet场效应管 IRF3205S
    MINOS Mosfet场效应管 IRF3205S

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3205S

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:143W

    阈值电压:2.8V@250μA

    栅极电荷:80nC@10V

    输入电容:3.7nF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:270pF@30V

    导通电阻:6mΩ@10V,30A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    MINOS Mosfet场效应管 MPG30N06
    MINOS Mosfet场效应管 MPG30N06

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPG30N06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:44W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:21nC@10V

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:66pF@25V

    导通电阻:25mΩ@10V,10A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5462A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.142nF@25V

    连续漏极电流:42A€8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4464AP-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4464AP-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4464AP-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.574nF@25V

    连续漏极电流:7.3A€33A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:17mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5H610NLWFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5H610NLWFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5H610NLWFT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.6W€52W

    阈值电压:2V@40μA

    栅极电荷:13.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@30V

    连续漏极电流:13A€48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC011N06LM5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC011N06LM5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC011N06LM5ATMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3W€188W

    阈值电压:2.3V@116μA

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11nF@30V

    连续漏极电流:288A€37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M20-60ELX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M20-60ELX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M20-60ELX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:79.4W

    阈值电压:2.1V

    栅极电荷:40nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:40A

    类型:MOSFET

    导通电阻:13mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB409L

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.1W€83.3W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.953nF@30V

    连续漏极电流:5A€31.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,20A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI020N06D1
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI020N06D1

    品牌:DIOTEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DI020N06D1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB45N06S4L08ATMA3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB45N06S4L08ATMA3

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":136,"22+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB45N06S4L08ATMA3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.78nF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI020N06D1
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI020N06D1

    品牌:DIOTEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DI020N06D1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:25.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
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