品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5462A-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71.4W€2.4W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.142nF@25V
连续漏极电流:42A€8.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4464AP-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W€2.4W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.574nF@25V
连续漏极电流:7.3A€33A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48.4W€2.4W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:25A€5.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4464AP-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W€2.4W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.574nF@25V
连续漏极电流:7.3A€33A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT08N06
工作温度:-55℃~+175℃
功率:107W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:3nF@30V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:240pF@30V
导通电阻:7mΩ@10V,20A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD11N06A-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€30W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:9.3nC@10V
输入电容:509pF@15V
连续漏极电流:11A€3.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT20N06
工作温度:-55℃~+175℃
功率:44W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:66pF@25V
导通电阻:25mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT20N06
工作温度:-55℃~+175℃
功率:44W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:66pF@25V
导通电阻:25mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD11N06A-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€30W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:9.3nC@10V
输入电容:509pF@15V
连续漏极电流:11A€3.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y8R8-60ELX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:194W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:123nC@10V
输入电容:6.695nF@25V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.6mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G86N06K
工作温度:-55℃~+175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:77nC@10V
输入电容:2.86nF@25V
连续漏极电流:68A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5462A-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71.4W€2.4W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.142nF@25V
连续漏极电流:42A€8.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4464AP-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W€2.4W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.574nF@25V
连续漏极电流:7.3A€33A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT30N06L
工作温度:-55℃~+175℃
功率:44W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:66pF@25V
导通电阻:25mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5462A-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71.4W€2.4W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.142nF@25V
连续漏极电流:42A€8.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3205S
工作温度:-55℃~+175℃
功率:143W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:3.7nF@30V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
反向传输电容:270pF@30V
导通电阻:6mΩ@10V,30A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG30N06
工作温度:-55℃~+175℃
功率:44W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:66pF@25V
导通电阻:25mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5462A-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71.4W€2.4W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.142nF@25V
连续漏极电流:42A€8.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4464AP-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W€2.4W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.574nF@25V
连续漏极电流:7.3A€33A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5H610NLWFT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.6W€52W
阈值电压:2V@40μA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
连续漏极电流:13A€48A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:107mΩ@8A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC011N06LM5ATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€188W
阈值电压:2.3V@116μA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11nF@30V
连续漏极电流:288A€37A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.15mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M20-60ELX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79.4W
阈值电压:2.1V
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:40A
类型:MOSFET
导通电阻:13mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB409L
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.1W€83.3W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.953nF@30V
连续漏极电流:5A€31.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:38mΩ@10V,20A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DI020N06D1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":136,"22+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB45N06S4L08ATMA3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.78nF@25V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.9mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DI020N06D1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:25.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:107mΩ@8A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:6.46A
类型:1个P沟道
导通电阻:155mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:107mΩ@8A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: