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    漏源电压: 60V
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM220NB06LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM220NB06LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):5000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM220NB06LCR RLG

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:68W

    阈值电压:1V

    栅极电荷:23nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:35A

    类型:MOSFET

    导通电阻:22mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月15日前
    - +
    起购:2500
    强茂 Mosfet场效应管 PJD11N06A-AU_L2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJD11N06A-AU_L2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD11N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W€30W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:9.3nC@10V

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:11A€3.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:75mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月15日前
    - +
    起购:16
    谷峰 Mosfet场效应管 G86N06K 起订15个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G86N06K 起订15个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G86N06K

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:77nC@10V

    输入电容:2.86nF@25V

    连续漏极电流:68A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月15日前
    - +
    起购:15
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5462A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.142nF@25V

    连续漏极电流:42A€8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月15日前
    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM130NB06CR RLG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM130NB06CR RLG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM130NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:3.8V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:2.234nF@30V

    连续漏极电流:10A€50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月15日前
    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4464AP-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4464AP-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4464AP-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.574nF@25V

    连续漏极电流:7.3A€33A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:17mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月15日前
    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4464AP-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4464AP-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4464AP-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.574nF@25V

    连续漏极电流:7.3A€33A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:17mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月15日前
    - +
    起购:100
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT08N06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:107W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:72nC@10V

    输入电容:3nF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:240pF@30V

    导通电阻:7mΩ@10V,20A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月30日前
    - +
    起购:16
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT08N06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:107W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:72nC@10V

    输入电容:3nF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:240pF@30V

    导通电阻:7mΩ@10V,20A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月30日前
    - +
    起购:20
    MINOS Mosfet场效应管 MP180N06
    MINOS Mosfet场效应管 MP180N06

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MP180N06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:270W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:257nC@10V

    输入电容:13.2nF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:810pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,50A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月30日前
    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5462A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.142nF@25V

    连续漏极电流:42A€8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月30日前
    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:25A€5.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月30日前
    - +
    起购:3
    MINOS Mosfet场效应管 MDT30N06L
    MINOS Mosfet场效应管 MDT30N06L

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT30N06L

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:44W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:21nC@10V

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

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    导通电阻:25mΩ@10V,10A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月30日前
    - +
    起购:43
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4464AP-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4464AP-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4464AP-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.574nF@25V

    连续漏极电流:7.3A€33A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:17mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月30日前
    - +
    起购:2000
    MINOS Mosfet场效应管 MDT20N06
    MINOS Mosfet场效应管 MDT20N06

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT20N06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:44W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:21nC@10V

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:66pF@25V

    导通电阻:25mΩ@10V,10A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月30日前
    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4464AP-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4464AP-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4464AP-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.574nF@25V

    连续漏极电流:7.3A€33A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:17mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月30日前
    - +
    起购:10
    MINOS Mosfet场效应管 MDT30N06L
    MINOS Mosfet场效应管 MDT30N06L

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT30N06L

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:44W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:21nC@10V

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:66pF@25V

    导通电阻:25mΩ@10V,10A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月30日前
    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:25A€5.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月30日前
    - +
    起购:500
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT08N06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:107W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:72nC@10V

    输入电容:3nF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:240pF@30V

    导通电阻:7mΩ@10V,20A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月30日前
    - +
    起购:30
    强茂 Mosfet场效应管 PJD11N06A-AU_L2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJD11N06A-AU_L2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD11N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W€30W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:9.3nC@10V

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:11A€3.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:75mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月15日前
    - +
    起购:30
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT08N06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:107W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:72nC@10V

    输入电容:3nF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:240pF@30V

    导通电阻:7mΩ@10V,20A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月15日前
    - +
    起购:500
    MINOS Mosfet场效应管 MDT20N06
    MINOS Mosfet场效应管 MDT20N06

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT20N06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:44W

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月15日前
    - +
    起购:39
    MINOS Mosfet场效应管 MDT20N06
    MINOS Mosfet场效应管 MDT20N06

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT20N06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:44W

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    输入电容:670pF@25V

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    导通电阻:25mΩ@10V,10A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月15日前
    - +
    起购:100
    MINOS Mosfet场效应管 MDT20N06
    MINOS Mosfet场效应管 MDT20N06

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT20N06

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    功率:44W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:21nC@10V

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:66pF@25V

    导通电阻:25mΩ@10V,10A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月15日前
    - +
    起购:31
    谷峰 Mosfet场效应管 G65P06T
    谷峰 Mosfet场效应管 G65P06T

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G65P06T

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:130W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:75nC@10V

    输入电容:5.814nF@25V

    连续漏极电流:65A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月15日前
    - +
    起购:10
    MINOS Mosfet场效应管 MP180N06
    MINOS Mosfet场效应管 MP180N06

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MP180N06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:270W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:257nC@10V

    输入电容:13.2nF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:810pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,50A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月15日前
    - +
    起购:4
    MINOS Mosfet场效应管 MDT60N06D
    MINOS Mosfet场效应管 MDT60N06D

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT60N06D

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:87W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:31nC@10V

    输入电容:910pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:30pF@25V

    导通电阻:12mΩ@10V,25A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月15日前
    - +
    起购:17
    强茂 Mosfet场效应管 PJD11N06A-AU_L2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJD11N06A-AU_L2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD11N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W€30W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:9.3nC@10V

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:11A€3.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:75mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月15日前
    - +
    起购:18
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y8R8-60ELX 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y8R8-60ELX 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y8R8-60ELX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:194W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:123nC@10V

    输入电容:6.695nF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月15日前
    - +
    起购:2
    捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS Mosfet场效应管 JMTK80N06A
    捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS Mosfet场效应管 JMTK80N06A

    品牌:捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JMTK80N06A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:108W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:90nC@10V

    输入电容:4.136nF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:257pF@30V

    导通电阻:5.3mΩ@10V,30A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月2日前
    - +
    起购:27
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