采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306A
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"22+"：53862，"23+"：1275}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD024PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：散装
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206AV
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：0.6A
类型：N-Channel
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：1000}
包装规格(MPQ)：156psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3058-Z-E1-AZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2.1nF@10V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2106A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：散装
输入电容：75pF@18V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：60244}
包装规格(MPQ)：295psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ529L06-E
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：22200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N06MLG-S18-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€115W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：散装
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206AV
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：0.6A
类型：N-Channel
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2106A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：散装
输入电容：75pF@18V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：60244}
包装规格(MPQ)：295psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ529L06-E
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2106A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：散装
输入电容：75pF@18V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170P
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2106A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：75pF@18V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10LP
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10LP
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP3306A
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：50pF@18V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2106A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：散装
输入电容：75pF@18V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD9014PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：散装
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@660mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：24+
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：219psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA1728G-E1-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1.7nF@10V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
