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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD014PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD014PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD014PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:310pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMD8260L
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMD8260L

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):181psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8260L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:5245pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:181
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4306A 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4306A 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4306A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:850mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7000

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1000
    加购:1000
    SANKEN Mosfet场效应管 SLA5064
    SANKEN Mosfet场效应管 SLA5064

    品牌:SANKEN

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):180psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SLA5064

    工作温度:150℃

    功率:5W

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:460pF@10V€1200pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:3个N沟道和3个P沟道(3相桥式)

    导通电阻:140mΩ@5A,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2106A 起订4000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2106A 起订4000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2106A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:75pF@18V

    连续漏极电流:450mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:4000
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1446-H
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1446-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":2000}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1446-H

    工作温度:150℃

    功率:1W€23W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:750pF@20V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:51mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1036
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206A
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206A

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4206A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 BS170
    onsemi Mosfet场效应管 BS170

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS170

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:373
    加购:349
    onsemi Mosfet场效应管 BS170
    onsemi Mosfet场效应管 BS170

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":53862,"23+":1275}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS170

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:2113
    NEC Mosfet场效应管 2SK3058-Z-E1-AZ
    NEC Mosfet场效应管 2SK3058-Z-E1-AZ

    品牌:NEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":1000}

    包装规格(MPQ):156psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3058-Z-E1-AZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:2.1nF@10V

    连续漏极电流:55A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:17mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2106A
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2106A

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2106A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:75pF@18V

    连续漏极电流:450mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:7
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3306A
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3306A

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP3306A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@18V

    连续漏极电流:160mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106A
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106A

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP2106A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:100pF@18V

    连续漏极电流:280mA

    类型:P沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 BS170
    onsemi Mosfet场效应管 BS170

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS170

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:15
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9024PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9024PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD9024PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@960mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:200
    加购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD024PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD024PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD024PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:100
    加购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD014PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD014PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD014PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:310pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9014PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9014PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD9014PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@660mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2106A
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2106A

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2106A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:75pF@18V

    连续漏极电流:450mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:9
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206AV
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206AV

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4206AV

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:0.6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206AV
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206AV

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4206AV

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:0.6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:6
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9014PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9014PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD9014PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@660mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206AV
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206AV

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4206AV

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:0.6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:10
    加购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD014PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD014PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD014PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:310pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7000

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:25
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2106A
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2106A

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2106A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:75pF@18V

    连续漏极电流:450mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:10
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N06MLG-S18-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N06MLG-S18-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":22200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N06MLG-S18-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€115W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:128nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:6900pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1000
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ529L06-E
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ529L06-E

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":60244}

    包装规格(MPQ):295psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ529L06-E

    功率:20W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:580pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2106A 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2106A 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2106A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:75pF@18V

    连续漏极电流:450mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
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    起购:1000
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