品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:21.8A€95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2392ADS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@50V
连续漏极电流:2.2A€3.1A
类型:N沟道
导通电阻:126mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3474DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:126mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3474DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:126mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P10-43L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:8.3W€136W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@50V
连续漏极电流:37.1A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@9.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@50V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2392ADS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@50V
连续漏极电流:2.2A€3.1A
类型:N沟道
导通电阻:126mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:21.8A€95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1480DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W€2.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@50V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@1.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@50V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P10-43L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:8.3W€136W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@50V
连续漏极电流:37.1A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@9.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:21.8A€95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P10-43L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:8.3W€136W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@50V
连续漏极电流:37.1A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@9.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7489DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@50V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS892ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@50V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7454DDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€29.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@50V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:21.8A€95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR870DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2840pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@50V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P10-43L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:8.3W€136W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@50V
连续漏极电流:37.1A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@9.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS892DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:611pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS892ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@50V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@50V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: