采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：40W
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：10.3nC @ 4.5V，9.5nC @ 4.5V
输入电容：1159pF @ 30V，930pF @ 30V
连续漏极电流：24A（Tc），18A（Tc）
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：34 毫欧 @ 5.4A，10V，68 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1.56W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：4.1 nC @ 4.5 V
输入电容：345 pF @ 25 V
连续漏极电流：6.5A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：24 毫欧 @ 6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：47 nC @ 10 V
输入电容：3130 pF @ 20 V
连续漏极电流：141A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.3 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：40W
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：10.3nC @ 4.5V，9.5nC @ 4.5V
输入电容：1159pF @ 30V，930pF @ 30V
连续漏极电流：24A（Tc），18A（Tc）
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：34 毫欧 @ 5.4A，10V，68 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1.56W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：4.1 nC @ 4.5 V
输入电容：345 pF @ 25 V
连续漏极电流：6.5A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：24 毫欧 @ 6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1.56W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：4.1 nC @ 4.5 V
输入电容：345 pF @ 25 V
连续漏极电流：6.5A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：24 毫欧 @ 6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：40W
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：10.3nC @ 4.5V，9.5nC @ 4.5V
输入电容：1159pF @ 30V，930pF @ 30V
连续漏极电流：24A（Tc），18A（Tc）
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：34 毫欧 @ 5.4A，10V，68 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：67 nC @ 10 V
输入电容：4224 pF @ 20 V
连续漏极电流：170A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1.56W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：4.1 nC @ 4.5 V
输入电容：345 pF @ 25 V
连续漏极电流：6.5A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：24 毫欧 @ 6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
