品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€64.9W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.258nF@25V
连续漏极电流:9.6A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LFGQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.62W€65.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2798pF@20V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:91nC@10V
输入电容:4.234nF@20V
连续漏极电流:11.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10.93nF@20V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.67mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€64.9W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.258nF@25V
连续漏极电流:9.6A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€64.9W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.258nF@25V
连续漏极电流:9.6A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD60N04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€75W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:17nC@4.5V
输入电容:1.759nF@25V
连续漏极电流:60A€12.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€64.9W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.258nF@25V
连续漏极电流:9.6A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€64.9W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.258nF@25V
连续漏极电流:9.6A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10.93nF@20V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.67mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10.93nF@20V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.67mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:210nC@10V
输入电容:9.95nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€64.9W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.258nF@25V
连续漏极电流:9.6A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:210nC@10V
连续漏极电流:50A
阈值电压:2.5V@250μA
漏源电压:40V
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
类型:1个P沟道
输入电容:9.95nF@25V
功率:71W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
功率:2.4W€64.9W
输入电容:1.258nF@25V
连续漏极电流:9.6A€50A
阈值电压:2.5V@250μA
导通电阻:9.5mΩ@8A,10V
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LFGQ-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:2798pF@20V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:2.62W€65.2W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:3mΩ@20A,10V
栅极电荷:40.1nC@10V
连续漏极电流:24A€100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
功率:2.4W€64.9W
输入电容:1.258nF@25V
连续漏极电流:9.6A€50A
阈值电压:2.5V@250μA
导通电阻:9.5mΩ@8A,10V
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10.93nF@20V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.67mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€64.9W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.258nF@25V
连续漏极电流:9.6A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10.93nF@20V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.67mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10.93nF@20V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.67mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4444P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:60W€2.4W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.258nF@25V
连续漏极电流:14A€70A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:192W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:141nC@10V
输入电容:7.458nF@25V
连续漏极电流:101A
类型:1个P沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:192W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:141nC@10V
输入电容:7.458nF@25V
连续漏极电流:101A
类型:1个P沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:192W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:141nC@10V
输入电容:7.458nF@25V
连续漏极电流:101A
类型:1个P沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:192W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:141nC@10V
输入电容:7.458nF@25V
连续漏极电流:101A
类型:1个P沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LFGQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.62W€65.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2798pF@20V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10.93nF@20V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.67mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:162nC@4.5V
输入电容:10.315nF@25V
连续漏极电流:195A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.7mΩ@195A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:162nC@4.5V
输入电容:10.315nF@25V
连续漏极电流:195A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.7mΩ@195A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: