采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT75GT120JU2
包装方式：散装
输入电容：5.34nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC017SMA120B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：2.7V@4.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：249nC@20V
包装方式：散装
输入电容：5280pF@1000V
连续漏极电流：113A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA170B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：370W
阈值电压：3.25V@2.5mA
栅极电荷：178nC@20V
包装方式：散装
输入电容：3300pF@1000V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@30A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ARF461BG
功率：150W
ECCN：EAR99
包装方式：散装
类型：1个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ARF465AG
功率：150W
ECCN：EAR99
包装方式：散装
类型：1个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC017SMA120B
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：2.7V@4.5mA
栅极电荷：249nC@20V
包装方式：散装
输入电容：5280pF@1000V
连续漏极电流：113A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSCSM120SKM31CTBL1NG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：232nC@20V
包装方式：散装
输入电容：3.02nF@1000V
连续漏极电流：79A
类型：1个N沟道
导通电阻：31mΩ@40A，20V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APTGT450A60G
包装方式：散装
输入电容：37nF@25V
集电极截止电流(Ices)：600V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA170S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：278W
阈值电压：3.25V
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC
包装方式：散装
连续漏极电流：59A
类型：MOSFET
导通电阻：35mΩ
漏源电压：1.7kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APTGT200DU120G
包装方式：散装
输入电容：14nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ARF461AG
功率：150W
ECCN：EAR99
包装方式：散装
类型：1个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APTM50AM24SG
工作温度：-40℃~150℃
功率：1250W
阈值电压：5V@6mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：19600pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：28mΩ@75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GA101
断态峰值电压(Vdrm)：60V
类型：1个单向可控硅
ECCN：EAR99
工作温度：-65℃~+150℃
通态RMS电流(It(rms))：200mA
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5010JVRU2
工作温度：-55℃~150℃
功率：450W
阈值电压：4V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：312nC@10V
包装方式：散装
输入电容：7410pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@22A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APTGT200A120G
包装方式：散装
输入电容：14nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：VRF2933
功率：170V
ECCN：EAR99
包装方式：散装
连续漏极电流：170V
类型：N 通道
漏源电压：170V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：6pF@15V
功率：300mW
栅源击穿电压：30V
栅源截止电压：8V@500pA
工作温度：-55℃~200℃
包装方式：散装
漏源饱和电流：20mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ARF463BP1G
功率：500V
ECCN：EAR99
包装方式：散装
连续漏极电流：500V
类型：N 通道
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC080SMA330B4
工作温度：-55℃~150℃
功率：381W
阈值电压：2.97V@3mA
栅极电荷：55nC@20V
包装方式：散装
输入电容：3462pF@2400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@30A，20V
漏源电压：3300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6287
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：20A
功率：175W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：65℃~175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
包装方式：散装
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1500@1A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6287
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：20A
功率：175W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：65℃~175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
包装方式：散装
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1500@1A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：晶闸管
行业应用：其它
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GA101
断态峰值电压(Vdrm)：60V
类型：1个单向可控硅
ECCN：EAR99
工作温度：-65℃~+150℃
通态RMS电流(It(rms))：200mA
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：JANTX2N6284
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：20A
功率：175W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：65℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
ECCN：EAR99
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1250@10A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ARF463AP1G
功率：500V
包装方式：散装
连续漏极电流：500V
类型：N 通道
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：JANTX2N6058
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：12A
功率：150W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：55℃~175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@120mA，12A
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@6A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
