采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC430N25NSFDATMA1
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL540NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€140W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ601-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€65W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：321，"23+"：2750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R060M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：181W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1145pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL540NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€140W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH070N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：202W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2647pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB47N60DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD36P4LLF6
工作温度：175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R060M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：181W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1145pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4497DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9685pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4497DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9685pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL540NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€140W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：74nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4497DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9685pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB095N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：272W
阈值电压：5V@860µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2930pF@400V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ980EL-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1995pF@40V
连续漏极电流：36A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13.5mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4497DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9685pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD36P4LLF6
工作温度：175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC430N25NSFDATMA1
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
