采购热线 400-661-9010
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：2W（Ta）
阈值电压：1.2V @ 1mA
栅极电荷：23.5 nC @ 4.5 V
输入电容：1660 pF @ 10 V
连续漏极电流：10A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：15.6mOhm @ 10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：2W（Ta）
阈值电压：1.2V @ 1mA
栅极电荷：23.5 nC @ 4.5 V
输入电容：1660 pF @ 10 V
连续漏极电流：10A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：15.6mOhm @ 10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：2W（Ta）
阈值电压：1.2V @ 1mA
栅极电荷：23.5 nC @ 4.5 V
输入电容：1660 pF @ 10 V
连续漏极电流：10A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：15.6mOhm @ 10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：2.4W（Tc）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：4.8 nC @ 4.5 V
输入电容：510 pF @ 10 V
连续漏极电流：4A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：100 毫欧 @ 2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1.6W（Tc）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：4.8 nC @ 4.5 V
输入电容：510 pF @ 10 V
连续漏极电流：3A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：100 毫欧 @ 1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH5839-TL-W
工作温度：150°C（TJ）
功率：800mW（Ta）
阈值电压：1.4V @ 1mA
栅极电荷：1.7 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120 pF @ 10 V
连续漏极电流：1.5A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：266 毫欧 @ 750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：100mW（Ta）
阈值电压：1V @ 100µA
输入电容：12 pF @ 10 V
连续漏极电流：150mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：2 欧姆 @ 150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：1V @ 1mA
栅极电荷：16.6 nC @ 4.5 V
输入电容：1030 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30.1 毫欧 @ 4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：556mW
栅极电荷：19.1 nC @ 4.5 V
连续漏极电流：7.3A（Tj）
类型：P 通道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：556mW
栅极电荷：19.1 nC @ 4.5 V
连续漏极电流：7.3A（Tj）
类型：P 通道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：150mW（Ta）
阈值电压：1V @ 1mA
栅极电荷：1.23 nC @ 4 V
输入电容：46 pF @ 10 V
连续漏极电流：500mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：630 毫欧 @ 200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：100mW（Ta）
阈值电压：1V @ 100µA
输入电容：12 pF @ 10 V
连续漏极电流：150mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：2 欧姆 @ 150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：100mW（Ta）
阈值电压：1V @ 100µA
输入电容：12 pF @ 10 V
连续漏极电流：150mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：2 欧姆 @ 150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：100mW（Ta）
阈值电压：1V @ 100µA
输入电容：12 pF @ 10 V
连续漏极电流：150mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：2 欧姆 @ 150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：556mW
栅极电荷：19.1 nC @ 4.5 V
连续漏极电流：7.3A（Tj）
类型：P 通道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：200mW
阈值电压：1.1V @ 100µA
输入电容：9.3pF @ 3V
连续漏极电流：100mA
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：3 欧姆 @ 10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：556mW
栅极电荷：19.1 nC @ 4.5 V
连续漏极电流：7.3A（Tj）
类型：P 通道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：200mW
阈值电压：1.1V @ 100µA
输入电容：9.3pF @ 3V
连续漏极电流：100mA
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：3 欧姆 @ 10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：1V @ 1mA
栅极电荷：16.6 nC @ 4.5 V
输入电容：1030 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30.1 毫欧 @ 4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：100mW（Ta）
阈值电压：1V @ 100µA
输入电容：12 pF @ 10 V
连续漏极电流：150mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：2 欧姆 @ 150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：1V @ 1mA
栅极电荷：16.6 nC @ 4.5 V
输入电容：1030 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30.1 毫欧 @ 4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：556mW
栅极电荷：19.1 nC @ 4.5 V
连续漏极电流：7.3A（Tj）
类型：P 通道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：556mW
栅极电荷：19.1 nC @ 4.5 V
连续漏极电流：7.3A（Tj）
类型：P 通道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：1V @ 1mA
栅极电荷：16.6 nC @ 4.5 V
输入电容：1030 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30.1 毫欧 @ 4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：556mW
栅极电荷：19.1 nC @ 4.5 V
连续漏极电流：7.3A（Tj）
类型：P 通道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：556mW
栅极电荷：19.1 nC @ 4.5 V
连续漏极电流：7.3A（Tj）
类型：P 通道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：556mW
栅极电荷：19.1 nC @ 4.5 V
连续漏极电流：7.3A（Tj）
类型：P 通道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
输入电容：9.3pF @ 3V
漏源电压：20V
类型：2 N-通道（双）
连续漏极电流：100mA
阈值电压：1.1V @ 100µA
功率：200mW
导通电阻：3 欧姆 @ 10mA，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：1030 pF @ 10 V
类型：P 通道
功率：1W（Ta）
工作温度：150°C（TJ）
漏源电压：20V
连续漏极电流：6A（Ta）
阈值电压：1V @ 1mA
导通电阻：30.1 毫欧 @ 4A，4.5V
栅极电荷：16.6 nC @ 4.5 V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM4401UNEZ
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150°C（TJ）
连续漏极电流：5.4A（Tj）
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2 nC @ 4.5 V
类型：N 通道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
