品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：1V @ 1mA
栅极电荷：16.6 nC @ 4.5 V
输入电容：1030 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30.1 毫欧 @ 4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：GIGADEVICE
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工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：1V @ 1mA
栅极电荷：16.6 nC @ 4.5 V
输入电容：1030 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30.1 毫欧 @ 4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
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阈值电压：1V @ 1mA
栅极电荷：16.6 nC @ 4.5 V
输入电容：1030 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30.1 毫欧 @ 4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
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功率：1W（Ta）
阈值电压：1V @ 1mA
栅极电荷：16.6 nC @ 4.5 V
输入电容：1030 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30.1 毫欧 @ 4A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：1W（Ta）
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漏源电压：20V
连续漏极电流：6A（Ta）
阈值电压：1V @ 1mA
导通电阻：30.1 毫欧 @ 4A，4.5V
栅极电荷：16.6 nC @ 4.5 V
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库存：有货
