采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25310Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：23.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD75301W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25485F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：533pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@900mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD15380F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.35V@2.5µA
栅极电荷：0.281nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.5pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1190mΩ@100mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25481F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.913nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：189pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85312Q3E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2390pF@10V
连续漏极电流：39A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：12.4mΩ@10A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25213W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD75208W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：2P沟道（双）共源
导通电阻：68mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25501F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25310Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：23.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25310Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：23.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25484F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：94mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85301Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：469pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25481F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.913nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：189pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25484F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：94mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25480F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@400mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25304W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：4.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25480F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.91nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@400mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25481F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.91nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：189pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85312Q3E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2390pF@10V
连续漏极电流：39A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：12.4mΩ@10A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD15380F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.35V@2.5µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.281nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.5pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1190mΩ@100mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：429，"14+"：2029，"15+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85312Q3E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2390pF@10V
连续漏极电流：39A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：12.4mΩ@10A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25483F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.96nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25480F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@400mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25484F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：94mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25481F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.913nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：189pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
