品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LBSS138WT1G
功率:150mW
阈值电压:1.5V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@5V,200mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LBSS138WT1G
功率:150mW
阈值电压:1.5V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@5V,200mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LBSS138WT1G
功率:150mW
阈值电压:1.5V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@5V,200mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LBSS138WT1G
功率:150mW
阈值电压:1.5V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@5V,200mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RYM002N05T2CL
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:3pF@10V
导通电阻:1.6Ω@4.5V,200mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:3pF@10V
导通电阻:1.6Ω@4.5V,200mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:150mW
阈值电压:1.5V@1μA
输入电容:7pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:1个N沟道
导通电阻:20Ω@4V,10mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:3pF@10V
导通电阻:1.6Ω@4.5V,200mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:3pF@10V
导通电阻:1.6Ω@4.5V,200mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RYM002N05T2CL
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:3pF@10V
导通电阻:1.6Ω@4.5V,200mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RYM002N05T2CL
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
反向传输电容:3pF@10V
输入电容:26pF@10V
类型:1个N沟道
漏源电压:50V
导通电阻:1.6Ω@4.5V,200mA
阈值电压:800mV@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:150mW
连续漏极电流:200mA
阈值电压:1V@1mA
输入电容:25pF@10V
类型:1个N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: