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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AF4N60S
功率：106W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.4Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AF4N60S
功率：106W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.4Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：106W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：1.77nF@25V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@10V，5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
