采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM089N08LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6119pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
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输入电容：6119pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
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漏源电压：80V
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类型：N沟道
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