采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：323mW€554mW
阈值电压：2.7V@250μA
栅极电荷：3.6nC@10V
输入电容：101pF@30V
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：323mW€554mW
阈值电压：2.7V@250μA
栅极电荷：3.6nC@10V
输入电容：101pF@30V
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：323mW€554mW
阈值电压：2.7V@250μA
栅极电荷：3.6nC@10V
输入电容：101pF@30V
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210GTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，1.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
