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    品牌: DIODES
    类型: N沟道
    阈值电压: 3V@250µA
    当前匹配商品:3000+
    商品信息
    参数
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN3110S-7 起订32个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3110S-7 起订32个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3110S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305.8pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4004LPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4004LPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT4004LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€138W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:82.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4508pF@20V

    连续漏极电流:26A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4010LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:930mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1810pF@20V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4036LK3-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4036LK3-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4036LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.12W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@20V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11GTA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11GTA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A11GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:5.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@40V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFG-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFG-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:14.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870.7pF@25V

    连续漏极电流:2.9A€8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:122mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:41.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@30V

    连续漏极电流:13.5A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LDK-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LDK-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LDK-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:17.1A€46.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4010LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:930mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1810pF@20V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075SQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4026SK3-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4026SK3-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4026SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1181pF@20V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€30W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:9.5A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140L-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140L-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6140L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@40V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068SEQ-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068SEQ-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6068SEQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:502pF@30V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3F30FHTA 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3F30FHTA 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:318pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068LK3-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068LK3-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6068LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.12W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:502pF@30V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4060SVT-7 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4060SVT-7 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4060SVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LPS-13 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LPS-13 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€42W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:16A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3004LPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3004LPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3004LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€113W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2370pF@15V

    连续漏极电流:21A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LPSQ-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LPSQ-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4008LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.99W€55.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@20V

    连续漏极电流:14.4A€64.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6066SSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:502pF@30V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H099SK3-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H099SK3-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H099SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004LPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004LPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€138W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4515pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6002LPSWQ-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6002LPSWQ-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6002LPSWQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€167W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:131nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8289pF@30V

    连续漏极电流:205A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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