品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB48EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.35nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2个N沟道
导通电阻:5.2mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K17-60E,115
工作温度:-55℃~+175℃
功率:53W
阈值电压:1.7V@1mA
栅极电荷:16.5nC@5V
输入电容:1.667nF@25V
连续漏极电流:26A
类型:2个N沟道
反向传输电容:91pF@25V
导通电阻:14mΩ@5V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB46ELP-T1_BE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:34W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.1nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2个N沟道
导通电阻:8mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K13-40HX
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:19.4nC@10V
输入电容:1.16nF@25V
连续漏极电流:42A
类型:2个N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5744}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K35-60RAX
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:7.8nC@5V
输入电容:1.081nF@25V
连续漏极电流:22A
类型:2个N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K25-40RAX
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:6.3nC@5V
输入电容:701pF@25V
连续漏极电流:18.2A
类型:2个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K25-40RAX
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:6.3nC@5V
输入电容:701pF@25V
连续漏极电流:18.2A
类型:2个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB48EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.35nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2个N沟道
导通电阻:5.2mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LPDQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.41W€42.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10.2nC@10V
输入电容:733pF@20V
连续漏极电流:43.6A€10.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB48EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.35nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2个N沟道
导通电阻:5.2mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB46ELP-T1_BE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:34W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.1nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2个N沟道
导通电阻:8mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LPDQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.41W€42.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10.2nC@10V
输入电容:733pF@20V
连续漏极电流:43.6A€10.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB48EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.35nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2个N沟道
导通电阻:5.2mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LPDQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.41W€42.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10.2nC@10V
输入电容:733pF@20V
连续漏极电流:43.6A€10.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K13-40HX
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:19.4nC@10V
输入电容:1.16nF@25V
连续漏极电流:42A
类型:2个N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K35-60RAX
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:7.8nC@5V
输入电容:1.081nF@25V
连续漏极电流:22A
类型:2个N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K13-40HX
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:19.4nC@10V
输入电容:1.16nF@25V
连续漏极电流:42A
类型:2个N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K13-40HX
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:19.4nC@10V
输入电容:1.16nF@25V
连续漏极电流:42A
类型:2个N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K35-60RAX
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:7.8nC@5V
输入电容:1.081nF@25V
连续漏极电流:22A
类型:2个N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K25-40RAX
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:6.3nC@5V
输入电容:701pF@25V
连续漏极电流:18.2A
类型:2个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB46ELP-T1_BE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:34W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.1nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2个N沟道
导通电阻:8mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: