品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB20N60FTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:95pF@25V
导通电阻:150mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020JNJGTL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:252W
阈值电压:7V@3.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.5nF@100V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:234mΩ@10A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020JNJGTL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:252W
阈值电压:7V@3.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.5nF@100V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:234mΩ@10A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB20N60FTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:95pF@25V
导通电阻:150mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB20N60FTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:95pF@25V
导通电阻:150mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF190A60CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:4.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.935nF@100V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020JNJGTL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:252W
阈值电压:7V@3.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.5nF@100V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:234mΩ@10A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP22N60AE-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:20A
类型:MOSFET
导通电阻:156mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP22N60AE-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:20A
类型:MOSFET
导通电阻:156mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB20N60FTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:95pF@25V
导通电阻:150mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020JNJGTL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:252W
阈值电压:7V@3.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.5nF@100V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:234mΩ@10A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP20N60
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.08nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP20N60
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.08nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020JNJGTL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:252W
阈值电压:7V@3.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.5nF@100V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:234mΩ@10A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF190A60CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:4.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.935nF@100V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF190A60CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:4.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.935nF@100V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF190A60CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:4.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.935nF@100V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF190A60CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:4.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.935nF@100V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FCP20N60
连续漏极电流:20A
输入电容:3.08nF@25V
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
栅极电荷:98nC@10V
功率:208W
阈值电压:5V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):AOTF190A60CL
连续漏极电流:20A
栅极电荷:34nC@10V
阈值电压:4.6V@250μA
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:1.935nF@100V
功率:32W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):AOTF190A60CL
连续漏极电流:20A
栅极电荷:34nC@10V
阈值电压:4.6V@250μA
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:1.935nF@100V
功率:32W
包装清单:商品主体 * 1
库存: