首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    工作温度: -55℃~+150℃
    阈值电压: 1.5V@250μA
    功率: 300mW
    当前匹配商品:30+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    宏迦橙 Mosfet场效应管 BSS138W 起订166个装
    宏迦橙 Mosfet场效应管 BSS138W 起订166个装

    品牌:宏迦橙

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138W

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    输入电容:27pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:6pF@25V

    导通电阻:3.5Ω@10V,0.22A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    宏迦橙 Mosfet场效应管 BSS138W 起订224个装
    宏迦橙 Mosfet场效应管 BSS138W 起订224个装

    品牌:宏迦橙

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138W

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    输入电容:27pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:6pF@25V

    导通电阻:3.5Ω@10V,0.22A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    宏迦橙 Mosfet场效应管 BSS138W 起订129个装
    宏迦橙 Mosfet场效应管 BSS138W 起订129个装

    品牌:宏迦橙

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138W

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    输入电容:27pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:6pF@25V

    导通电阻:3.5Ω@10V,0.22A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:900pC@10V

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-13 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-13 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:900pC@10V

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.8Ω@10V,250mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6322C 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6322C 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:400pC@4.5V

    输入电容:9.5pF@10V

    连续漏极电流:220mA€410mA

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:4Ω@220mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数10个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数10个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数10个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数10个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6322C 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6322C 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:400pC@4.5V

    输入电容:9.5pF@10V

    连续漏极电流:220mA€410mA

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:4Ω@220mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138Q-7-F 起订数30个
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138Q-7-F 起订数30个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.5Ω@10V,220mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138-7-F 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138-7-F 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.5Ω@10V,220mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138Q-7-F 起订数10个
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138Q-7-F 起订数10个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.5Ω@10V,220mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDWQ-7 起订数21000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDWQ-7 起订数21000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:870pC@10V

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6303N 起订数30000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6303N 起订数30000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6322C 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6322C 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:400pC@4.5V

    输入电容:9.5pF@10V

    连续漏极电流:220mA€410mA

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:4Ω@220mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-13 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-13 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:900pC@10V

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.8Ω@10V,250mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6301UDW-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6301UDW-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6301UDW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:360pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.9pF@10V

    连续漏极电流:240mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6322C 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6322C 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6322C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:400pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@10V

    连续漏极电流:220mA€410mA

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:4Ω@220mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6303N 起订数9000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6303N 起订数9000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    阈值电压:1.5V@250μA

    功率:300mW

    导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:500mA

    输入电容:50pF@10V

    漏源电压:25V

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    类型:2个N沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6321C 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6321C 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6321C

    阈值电压:1.5V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    漏源电压:25V

    功率:300mW

    导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:500mA€410mA

    输入电容:50pF@10V

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6335N 起订54000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6335N 起订54000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6335N

    阈值电压:1.5V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:700mA

    输入电容:113pF@10V

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    类型:2个N沟道

    导通电阻:300mΩ@4.5V,700mA

    功率:300mW

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6332C 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6332C 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6332C

    阈值电压:1.5V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    输入电容:113pF@10V

    导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V

    功率:300mW

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:700mA€600mA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    阈值电压:1.5V@250μA

    功率:300mW

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:20V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    类型:2个N沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    阈值电压:1.5V@250μA

    功率:300mW

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:20V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    类型:2个N沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧