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    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17507Q5AT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:1.1V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:65A

    类型:MOSFET

    导通电阻:10.8mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

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    功率:39W

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    连续漏极电流:65A

    类型:MOSFET

    导通电阻:10.8mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

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    类型:MOSFET

    导通电阻:10.8mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17507Q5AT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

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    连续漏极电流:65A

    类型:MOSFET

    导通电阻:10.8mΩ

    漏源电压:30V

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    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订25个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订25个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

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    功率:39W

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    类型:MOSFET

    导通电阻:10.8mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17507Q5AT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

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    类型:MOSFET

    导通电阻:10.8mΩ

    漏源电压:30V

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    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    销售单位:

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    类型:MOSFET

    导通电阻:10.8mΩ

    漏源电压:30V

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    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17507Q5AT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:1.1V

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    栅极电荷:2.8nC

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    连续漏极电流:65A

    类型:MOSFET

    导通电阻:10.8mΩ

    漏源电压:30V

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    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    销售单位:

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    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

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    连续漏极电流:65A

    类型:MOSFET

    导通电阻:10.8mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17507Q5AT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

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    栅极电荷:2.8nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:65A

    类型:MOSFET

    导通电阻:10.8mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17507Q5AT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:1.1V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:65A

    类型:MOSFET

    导通电阻:10.8mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17310Q5A 起订数100个
    TI Mosfet场效应管 CSD17310Q5A 起订数100个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    输入电容:1.56nF@15V

    连续漏极电流:100A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@20A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD17507Q5AT

    连续漏极电流:65A

    漏源电压:30V

    包装方式:Reel

    阈值电压:1.1V

    功率:39W

    工作温度:-55℃~+150℃

    栅极电荷:2.8nC

    导通电阻:10.8mΩ

    类型:MOSFET

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25211W1015 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25211W1015 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25211W1015

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:33mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17507Q5AT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:1.1V

    栅极电荷:2.8nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:65A

    类型:MOSFET

    导通电阻:10.8mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订数1000个
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订数1000个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q5AT 起订数2500个
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q5AT 起订数2500个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3W€53W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:35nC@10V

    输入电容:2.31nF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD85302LT 起订数2500个
    TI Mosfet场效应管 CSD85302LT 起订数2500个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    类型:2个N沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T 起订数1750个
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T 起订数1750个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订数100个
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订数100个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:16.7pF@10V

    导通电阻:19.9mΩ@4.5V,5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13385F5 起订数100个
    TI Mosfet场效应管 CSD13385F5 起订数100个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    输入电容:674pF@6V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:19mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订数100个
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订数100个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25310Q2

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:16.7pF@10V

    导通电阻:19.9mΩ@4.5V,5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD15380F3 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD15380F3 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD15380F3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.35V@2.5μA

    栅极电荷:281pC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.5pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.19Ω@100mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订数500个
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订数500个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订数500个
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订数500个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:16.7pF@10V

    导通电阻:19.9mΩ@4.5V,5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13201W10 起订数30000个
    TI Mosfet场效应管 CSD13201W10 起订数30000个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:2.9nC@4.5V

    输入电容:462pF@6V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 NTK3134NT1H 起订3806个装
    TI Mosfet场效应管 NTK3134NT1H 起订3806个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3134NT1H

    工作温度:-55℃~+150℃

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    连续漏极电流:890mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16327Q3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.3nF@12.5V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@24A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13380F3T 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13380F3T 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13380F3T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@6V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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