包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CP527-2N6299-CT5

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：8A

集电集截止电流(Icbo)：500μA

特征频率：4MHz

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@80mA，8A

包装方式：托盘

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@4A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CMLDM3737 TR PBFREE

工作温度：-65℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1V@250μA

栅极电荷：1.58nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：150pF@16V

连续漏极电流：540mA

类型：2个N沟道

导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CP527-2N6299-CT5

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：8A

集电集截止电流(Icbo)：500μA

特征频率：4MHz

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@80mA，8A

包装方式：托盘

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@4A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

漏源导通电阻：100Ω

类型：N沟道

ECCN：EAR99

输入电容：14pF@20V

功率：350mW

栅源击穿电压：40V

栅源截止电压：500mV@1nA

工作温度：-65℃~+150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：5mA@20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CMLDM7484 TR PBFREE

工作温度：-65℃~+150℃

功率：150mW

阈值电压：1V@250μA

栅极电荷：790pC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：45pF@25V

连续漏极电流：450mA

类型：1个N沟道+1个P沟道

导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-65℃~+150℃

功率：250mW

阈值电压：900mV@250μA

栅极电荷：570pC@4.5V

输入电容：9pF@3V

连续漏极电流：100mA

类型：1个N沟道

导通电阻：3Ω@10mA，4V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CMLDM3737 TR PBFREE

工作温度：-65℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1V@250μA

栅极电荷：1.58nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：150pF@16V

连续漏极电流：540mA

类型：2个N沟道

导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-65℃~+150℃

功率：250mW

阈值电压：900mV@250μA

栅极电荷：570pC@4.5V

输入电容：9pF@3V

连续漏极电流：100mA

类型：1个N沟道

导通电阻：3Ω@10mA，4V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1