品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:218pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1706pF@10V
连续漏极电流:12.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2555pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2555pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1706pF@10V
连续漏极电流:12.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2010UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@10V
连续漏极电流:12.7A€42A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2010UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@10V
连续漏极电流:12.7A€42A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2555pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.05W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6495pF@10V
连续漏极电流:18.1A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN25D0UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:476pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:218pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2555pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.05W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6495pF@10V
连续漏极电流:18.1A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:218pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2200UDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2010UFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:218pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: