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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2053UFDBQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容：369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流：3.1A€4.6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V€75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2053UFDBQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容：369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流：3.1A€4.6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V€75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2053UFDBQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容：369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流：3.1A€4.6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V€75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC1030UFDBQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@6V
连续漏极电流：5.1A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：34mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2053UFDBQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容：369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流：3.1A€4.6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V€75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2710UV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V€700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V€42pF@16V
连续漏极电流：1.1A€800mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V€700mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2710UV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V€700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V€42pF@16V
连续漏极电流：1.1A€800mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V€700mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2710UV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V€700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V€42pF@16V
连续漏极电流：1.1A€800mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V€700mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2053UFDBQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容：369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流：3.1A€4.6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V€75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2053UFDBQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容：369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流：3.1A€4.6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V€75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2053UFDBQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容：369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流：3.1A€4.6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V€75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V€5.7nC@4.5V
输入电容：705pF@10V€530pF@10V
连续漏极电流：3.7A€2.6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：74mΩ@3A，4.5V€35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2053UFDBQ-7
栅极电荷：12.7nC@8V€7.7nC@10V
连续漏极电流：3.1A€4.6A
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V€75mΩ@3.5A，4.5V
功率：820mW
输入电容：369pF@10V€440pF@10V
阈值电压：1V@250μA
类型：1个N沟道+1个P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：670mA€530mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：20pF@16V
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：670mA€530mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：20pF@16V
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：150pF@16V€175pF@16V
连续漏极电流：540mA€430mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：20pF@16V
导通电阻：400mΩ@4.5V，540mA€700mΩ@4.5V，430mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2053UFDBQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容：369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流：3.1A€4.6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V€75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：670mA€530mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：20pF@16V
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2710UV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V€700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V€42pF@16V
连续漏极电流：1.1A€800mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V€700mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2710UV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V€700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V€42pF@16V
连续漏极电流：1.1A€800mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V€700mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2710UV-7
输入电容：49pF@16V€42pF@16V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V€700mΩ@430mA，4.5V
阈值电压：1V@250μA
类型：1个N沟道+1个P沟道
漏源电压：20V
栅极电荷：600pC@4.5V€700pC@4.5V
功率：460mW
连续漏极电流：1.1A€800mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：150pF@16V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
阈值电压：1V@250μA
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：20pF@16V
漏源电压：20V
连续漏极电流：670mA€530mA
功率：450mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
