采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6008SCTQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2596pF@30V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H005SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8474pF@50V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：晶闸管
行业应用：其它
销售单位：个
规格型号(MPN)：S8M02600B
断态峰值电压(Vdrm)：600V
通态峰值电压(Vtm)：1.8V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：6mA
浪涌电流(Itsm)：80A
工作温度：-40℃~110℃
通态RMS电流(It(rms))：8A
门极触发电流(Igt)：200µA
包装方式：管件
门极触发电压(Vgt)：1V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W€25W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：37.2A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGTD65T15H2TF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：60A
关断延迟时间：128ns
反向恢复时间：150ns
关断损耗：86µJ
开启延迟时间：19ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：61nC
类型：场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，15A
导通损耗：270µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H005SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8474pF@50V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4005SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：165W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2846pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT69M5LH3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€96W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.406nF@30V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6008SCTQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2596pF@30V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGTD65T15H2TF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：60A
关断延迟时间：128ns
反向恢复时间：150ns
关断损耗：86µJ
开启延迟时间：19ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：61nC
类型：场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，15A
导通损耗：270µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：晶闸管
行业应用：其它
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：T4M35T600B
类型：晶闸管
ECCN：EAR99
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：DMNH6008SCTQ
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2596pF@30V
功率：210W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：8mΩ@20A，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：130A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT69M5LH3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€96W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.406nF@30V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：晶闸管
行业应用：其它
销售单位：个
规格型号(MPN)：S8M02600B
保持电流(Ih)：6mA
通态峰值电压(Vtm)：1.8V
工作温度：-40℃~110℃
门极触发电压(Vgt)：1V
ECCN：EAR99
包装方式：管件
浪涌电流(Itsm)：80A
通态RMS电流(It(rms))：8A
断态峰值电压(Vdrm)：600V
门极触发电流(Igt)：200µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGTD65T15H2TF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：60A
关断延迟时间：128ns
反向恢复时间：150ns
关断损耗：86µJ
开启延迟时间：19ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：61nC
类型：场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，15A
导通损耗：270µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGTD65T15H2TF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：60A
关断延迟时间：128ns
反向恢复时间：150ns
关断损耗：86µJ
开启延迟时间：19ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：61nC
类型：场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，15A
导通损耗：270µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGTD65T15H2TF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：60A
关断延迟时间：128ns
反向恢复时间：150ns
关断损耗：86µJ
开启延迟时间：19ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：61nC
类型：场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，15A
导通损耗：270µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGTD65T15H2TF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：60A
关断延迟时间：128ns
反向恢复时间：150ns
关断损耗：86µJ
开启延迟时间：19ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：61nC
类型：场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，15A
导通损耗：270µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGTD65T15H2TF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：60A
关断延迟时间：128ns
反向恢复时间：150ns
关断损耗：86µJ
开启延迟时间：19ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：61nC
类型：场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，15A
导通损耗：270µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT69M5LH3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€96W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.406nF@30V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：晶闸管
行业应用：其它
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：T4M35T600B
类型：晶闸管
ECCN：EAR99
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4005SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：165W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2846pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：晶闸管
行业应用：其它
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：T4M35T600B
类型：晶闸管
ECCN：EAR99
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4005SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：165W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2846pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6008SCTQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2596pF@30V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：晶闸管
行业应用：其它
销售单位：个
规格型号(MPN)：S8M02600B
断态峰值电压(Vdrm)：600V
通态峰值电压(Vtm)：1.8V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：6mA
浪涌电流(Itsm)：80A
工作温度：-40℃~110℃
通态RMS电流(It(rms))：8A
门极触发电流(Igt)：200µA
包装方式：管件
门极触发电压(Vgt)：1V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：晶闸管
行业应用：其它
销售单位：个
规格型号(MPN)：S8M02600B
断态峰值电压(Vdrm)：600V
通态峰值电压(Vtm)：1.8V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：6mA
浪涌电流(Itsm)：80A
工作温度：-40℃~110℃
通态RMS电流(It(rms))：8A
门极触发电流(Igt)：200µA
包装方式：管件
门极触发电压(Vgt)：1V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：晶闸管
行业应用：其它
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：T4M35T600B
类型：晶闸管
ECCN：EAR99
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT69M5LH3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€96W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.406nF@30V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT69M5LH3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€96W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.406nF@30V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
