采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NM50ND
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5NM50T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD60NF55LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16NF25
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@6.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD60NF55LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10LA
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：52nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD60NF55LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10LA
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：52nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5NM50AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：52nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5NM50AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD60NF55LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16NF25
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@6.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10LA
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：52nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD60NF55LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD60NF55LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
