品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1021R-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:1.7nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:1个P沟道
导通电阻:4Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469DP-T1-GE3
功率:5.2W
阈值电压:3V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:28A
类型:1个P沟道
导通电阻:25mΩ@10V,10.2A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5403DC-T1-GE3
功率:6.3W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:1个P沟道
导通电阻:30mΩ@10V,7.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM90P10-19L-E3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:326nC@10V
连续漏极电流:90A
阈值电压:3V@250μA
输入电容:11.1nF@50V
导通电阻:19mΩ@10V,20A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W€375W
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7423DN-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.4A
漏源电压:30V
导通电阻:18mΩ@10V,11.7A
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:56nC@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:2350
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM110P06-07L-E3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11.4nF@25V
栅极电荷:345nC@10V
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:110A
功率:3.75W€375W
导通电阻:6.9mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DDY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:1.35nF@15V
连续漏极电流:11.4A
阈值电压:3V@250μA
导通电阻:24mΩ@10V,9.1A
功率:2.5W€5W
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: