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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA76EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:68W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250 pF @ 25 V

    连续漏极电流:75A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA76EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:68W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250 pF @ 25 V

    连续漏极电流:75A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA76EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:68W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250 pF @ 25 V

    连续漏极电流:75A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA76EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:68W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250 pF @ 25 V

    连续漏极电流:75A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA76EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:68W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250 pF @ 25 V

    连续漏极电流:75A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA76EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:68W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250 pF @ 25 V

    连续漏极电流:75A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA76EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:68W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250 pF @ 25 V

    连续漏极电流:75A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA76EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:68W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250 pF @ 25 V

    连续漏极电流:75A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA76EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:68W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250 pF @ 25 V

    连续漏极电流:75A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:5W(Ta),38W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470 pF @ 15 V

    连续漏极电流:27A(Ta),60A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:5W(Ta),38W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470 pF @ 15 V

    连续漏极电流:27A(Ta),60A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3

    栅极电荷:32 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:27A(Ta),60A(Tc)

    输入电容:1470 pF @ 15 V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 10A,10V

    功率:5W(Ta),38W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF-BE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),42W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.4 欧姆 @ 1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA04DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA04DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA04DN-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.7W(Ta),52W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3595 pF @ 15 V

    连续漏极电流:30.9A(Ta),40A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.15 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA04DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA04DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA04DN-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.7W(Ta),52W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3595 pF @ 15 V

    连续漏极电流:30.9A(Ta),40A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.15 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR624DP-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR624DP-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR624DP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:52W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110 pF @ 100 V

    连续漏极电流:18.6A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:60 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7820DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7820DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7820DN-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.5W(Ta)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.7A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:240 毫欧 @ 2.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订15000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订15000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1818

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420PBF

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),42W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:360 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.4A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3 欧姆 @ 1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL014TRPBF-BE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2W(Ta),3.1W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:200 毫欧 @ 1.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ186DP-T1-GE3 起订12000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ186DP-T1-GE3 起订12000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ186DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:4.5 毫欧 @ 15A,10V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    漏源电压:60V

    类型:N 通道

    功率:5W(Ta),57W(Tc)

    阈值电压:3.6V @ 250µA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    输入电容:1710 pF @ 30 V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:23A(Ta),79.4A(Tc)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:2334

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:100A(Tc)

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    漏源电压:60V

    类型:N 通道

    功率:104W(Tc)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    生产批次:2334

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:100A(Tc)

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    漏源电压:60V

    类型:N 通道

    功率:104W(Tc)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26DN-T1-GE3 起订18000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26DN-T1-GE3 起订18000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS26DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:4.5 毫欧 @ 15A,10V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    连续漏极电流:60A(Tc)

    漏源电压:60V

    类型:N 通道

    功率:57W(Tc)

    阈值电压:3.6V @ 250µA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    输入电容:1710 pF @ 30 V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2A(Tc)

    功率:2.5W(Ta),42W(Tc)

    输入电容:350 pF @ 25 V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    栅极电荷:18 nC @ 10 V

    类型:N 通道

    导通电阻:4.4 欧姆 @ 1.2A,10V

    漏源电压:600V

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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