品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):2ED020I12FAXUMA2
上升时间:30ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2.4A
电源电压:13V~20V
峰值灌电流:2.4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):2EDL23N06PJXUMA1
上升时间:48ns
驱动通道数:2
下降时间:37ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2.3A
电源电压:10V~17.5V
峰值灌电流:1.8A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRS21811STR
上升时间:60ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.3A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:1.9A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS2304STRPBF
上升时间:70ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:600mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:290mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
生产批次:{"20+":3325}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS4426SPBF
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
生产批次:2221
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2183SPBF
上升时间:40ns
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.3A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:1.9A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
生产批次:{"17+":6222,"30+":3000,"9999":175}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS2308PBF
上升时间:100ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:600mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:290mA
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
生产批次:{"18+":5613,"20+":2815}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21834PBF
上升时间:40ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.3A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:1.9A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2301STRPBF
上升时间:130ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS2005STRPBF
上升时间:70ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:30ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:600mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:290mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):2EDF8275FXUMA1
上升时间:6.5ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:4.5ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:8A
电源电压:20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):2ED21064S06JXUMA1
上升时间:100ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
电源电压:10V~20V
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):45psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2110SPBF
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:17ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:3.3V~20V
峰值灌电流:2A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):2EDF7275KXUMA2
上升时间:6.5ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:4.5ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:8A
电源电压:20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):2EDL8023G3CXTMA1
上升时间:45ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:45ns
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:5A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2101SPBF
上升时间:100ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:360mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:210mA
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS2108STRPBF
上升时间:100ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:600mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:290mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIR2085STR
上升时间:40ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:10V~15V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):IR25606STRPBF
上升时间:150ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2104PBF
上升时间:100ns
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:360mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:210mA
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2112STRPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2114SSPBF
上升时间:24ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT
峰值拉电流:3A
电源电压:11.5V~20V
峰值灌电流:2A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
生产批次:{"04+":500,"10+":2613,"22+":2335}
销售单位:个
规格型号(MPN):IR21094STRPBF
上升时间:150ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2109STRPBF
上升时间:150ns
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2106STRPBF
上升时间:150ns
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2109SPBF
上升时间:150ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):2EDN7533RXTMA1
上升时间:8.6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:6ns
工作温度:-40℃~+150℃
负载类型:MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:5A
驱动配置:低边
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS2112STRPBF
上升时间:75ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:600mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:290mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):IR21531STRPBF
上升时间:80ns
驱动通道数:2
下降时间:45ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
电源电压:10V~15.6V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货