销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:254mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV @ 500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
电阻比:22千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):60 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:230MHz,180MHz
功率:200mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV @ 500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
电阻比:10kOhms
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kOhms
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:230MHz
功率:250mW
晶体管类型:NPN - 预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):750mV@5mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):600mV@100μA,5V
电阻比:21
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):56@5mA,5V
集电极电流(Ic):30mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):500nA(ICBO)
电阻比:47kOhms
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kOhms
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:150mW
晶体管类型:PNP - 预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
电阻比:100kOhms
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:100kOhms
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:NPN - 预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
电阻比:47kOhms
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kOhms
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:330mW
晶体管类型:NPN - 预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):56@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存: