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    onsemi 数字晶体管 NSBC114EF3T5G 起订数7123个
    onsemi 数字晶体管 NSBC114EF3T5G 起订数7123个

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:254mW

    晶体管类型:1个NPN-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBC114EPDXV6T1G 起订数1个
    onsemi 数字晶体管 NSBC114EPDXV6T1G 起订数1个

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 数字晶体管 DDTC143ECA-7-F 起订数3000个
    DIODES 数字晶体管 DDTC143ECA-7-F 起订数3000个

    品牌:DIODES

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):20@10mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM 数字晶体管 UMD22NTR 起订数1个
    ROHM 数字晶体管 UMD22NTR 起订数1个

    品牌:ROHM

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PUMD2-QX 起订数5个
    NEXPERIA 数字晶体管 PUMD2-QX 起订数5个

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV @ 500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    电阻比:22千欧

    直流增益(hFE@Ic,Vce):60 @ 5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:22千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:230MHz,180MHz

    功率:200mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA123JT,215 起订数1个
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA123JT,215 起订数1个

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTC114YT,215 起订数1个
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTC114YT,215 起订数1个

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTC114ET-QVL 起订数1个
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTC114ET-QVL 起订数1个

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV @ 500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    电阻比:10kOhms

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kOhms

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:230MHz

    功率:250mW

    晶体管类型:NPN - 预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM 数字晶体管 DTC144EETL 起订数1个
    ROHM 数字晶体管 DTC144EETL 起订数1个

    品牌:ROHM

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM 数字晶体管 DTC143ZEBTL 起订数1个
    ROHM 数字晶体管 DTC143ZEBTL 起订数1个

    品牌:ROHM

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM 数字晶体管 DTA114EUAT106 起订数1个
    ROHM 数字晶体管 DTA114EUAT106 起订数1个

    品牌:ROHM

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PEMD10,115 起订数3个
    NEXPERIA 数字晶体管 PEMD10,115 起订数3个

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    最小输入电压(VI(on)):750mV@5mA,0.3V

    最大输入电压(VI(off)):600mV@100μA,5V

    电阻比:21

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:300mW

    晶体管类型:2个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 数字晶体管 DDA144EU-7-F 起订数1个
    DIODES 数字晶体管 DDA144EU-7-F 起订数1个

    品牌:DIODES

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM 数字晶体管 DTC114EETL 起订数1个
    ROHM 数字晶体管 DTC114EETL 起订数1个

    品牌:ROHM

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    集电极电流(Ic):50mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM 数字晶体管 DTC124EEBTL 起订数1个
    ROHM 数字晶体管 DTC124EEBTL 起订数1个

    品牌:ROHM

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):56@5mA,5V

    集电极电流(Ic):30mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:1个NPN-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2213LT1G 起订数1个
    onsemi 数字晶体管 MMUN2213LT1G 起订数1个

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5233T1G 起订数3000个
    onsemi 数字晶体管 MUN5233T1G 起订数3000个

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:202mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2211T1G 起订数1个
    onsemi 数字晶体管 MUN2211T1G 起订数1个

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:230mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM 数字晶体管 DTC123JE3TL 起订数1个
    ROHM 数字晶体管 DTC123JE3TL 起订数1个

    品牌:ROHM

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA(ICBO)

    电阻比:47kOhms

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 10mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kOhms

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:250MHz

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP - 预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 数字晶体管 DRDNB16W-7 起订数1个
    DIODES 数字晶体管 DRDNB16W-7 起订数1个

    品牌:DIODES

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):56@50mA,5V

    集电极电流(Ic):600mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM 数字晶体管 UMD3NTR 起订数1个
    ROHM 数字晶体管 UMD3NTR 起订数1个

    品牌:ROHM

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 数字晶体管 DDTD123TC-7-F 起订数3000个
    DIODES 数字晶体管 DDTD123TC-7-F 起订数3000个

    品牌:DIODES

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100@50mA,5V

    集电极电流(Ic):500mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2236LT1G 起订数3000个
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2236LT1G 起订数3000个

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    电阻比:100kOhms

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:100kOhms

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN - 预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 数字晶体管 DDTC114YCA-7-F 起订数1个
    DIODES 数字晶体管 DDTC114YCA-7-F 起订数1个

    品牌:DIODES

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2133LT1G 起订数1个
    onsemi 数字晶体管 MMUN2133LT1G 起订数1个

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2211LT1G 起订数1个
    onsemi 数字晶体管 MMUN2211LT1G 起订数1个

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 数字晶体管 ADTC144EUAQ-7 起订数1个
    DIODES 数字晶体管 ADTC144EUAQ-7 起订数1个

    品牌:DIODES

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    电阻比:47kOhms

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kOhms

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:250MHz

    功率:330mW

    晶体管类型:NPN - 预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5214T1G 起订数1个
    onsemi 数字晶体管 MUN5214T1G 起订数1个

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:202mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 数字晶体管 DDTD123YC-7-F 起订数3000个
    DIODES 数字晶体管 DDTD123YC-7-F 起订数3000个

    品牌:DIODES

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):56@50mA,5V

    集电极电流(Ic):500mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    晶体管类型:1个NPN-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA 数字晶体管 RN1427TE85LF 起订数1个
    TOSHIBA 数字晶体管 RN1427TE85LF 起订数1个

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,50mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    电阻比:10kOhms

    直流增益(hFE@Ic,Vce):90 @ 100mA,1V

    集电极电流(Ic):800mA

    输入电阻:2.2kOhms

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:300MHz

    功率:200mW

    晶体管类型:NPN - 预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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