销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：50mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：40V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：150mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：-100mA
输入电阻：1KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：-50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：150mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：10KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV€-300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA€-100mA
输入电阻：4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V€-50V
特征频率：250MHz€250MHz
功率：150mW
晶体管类型：NPN/PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：500mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：200mV
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：150mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：-100mA
输入电阻：2.2KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：-50V
特征频率：250MHz
功率：150mW
晶体管类型：PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：150mW
晶体管类型：NPN-预偏压+二极管
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：150mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：-100mA
输入电阻：4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：-50V
特征频率：250MHz
功率：150mW
晶体管类型：PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：-100mA
输入电阻：10KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：-50V
特征频率：250MHz
功率：150mW
晶体管类型：PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：50mA
输入电阻：10KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：30mA
输入电阻：47KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：300mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：-20mA
输入电阻：100KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：-50V
特征频率：250MHz
功率：150mW
晶体管类型：PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：-100mA
输入电阻：4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：-50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：-100mA
输入电阻：2.2KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：-50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV€-300mV
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA€-100mA
输入电阻：22KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V€-50V
特征频率：250MHz€250MHz
功率：150mW
晶体管类型：NPN/PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：300mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
