销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：2V@20mA，300mV

最大输入电压(VI(off))：300mV@100μA，5V

输出电压(VO(on))：100mV@5mA，2.5mA

电阻比：4.5

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：2V@20mA，300mV

最大输入电压(VI(off))：300mV@100μA，5V

输出电压(VO(on))：100mV@5mA，2.5mA

电阻比：4.5

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：2V@20mA，300mV

最大输入电压(VI(off))：300mV@100μA，5V

输出电压(VO(on))：100mV@5mA，2.5mA

电阻比：4.5

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10KΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

工作温度：-55℃~150℃

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

晶体管类型：NPN-预偏压+二极管

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：600mA

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电集截止电流(Icbo)：500nA

输入电阻：470Ω

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2KΩ

晶体管类型：PNP

集电极电流(Ic)：-500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

工作温度：-55℃~150℃

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10KΩ

晶体管类型：PNP

集电极电流(Ic)：-500mA

功率：200mW

工作温度：-55℃~150℃

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2KΩ

晶体管类型：PNP

集电极电流(Ic)：-500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

工作温度：-55℃~150℃

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

晶体管类型：PNP

集电极电流(Ic)：-500mA

功率：200mW

工作温度：-55℃~150℃

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

输入电阻：10kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10KΩ

晶体管类型：PNP

集电极电流(Ic)：-500mA

功率：200mW

工作温度：-55℃~150℃

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2KΩ

晶体管类型：PNP

集电极电流(Ic)：-500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

工作温度：-55℃~150℃

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1