生产批次：{"07+"：323}

销售单位：个

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"13+"：25120}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"06+"：3000，"10+"：18000，"12+"：17750，"14+"：6000，"15+"：12000，"9999"：1926}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"09+"：53500}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"09+"：6000，"10+"：9000，"11+"：6000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"09+"：8000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA. 2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，15V

特征频率：280MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"04+"：26}

销售单位：个

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"04+"：3000，"13+"：6000，"15+"：87437}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"09+"：3124，"10+"：19543，"13+"：696，"14+"：57000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@20mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"13+"：24000，"15+"：143060，"9999"：2888}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：1000，"11+"：2620，"14+"：1000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 150 @ 2A，2V

集电极电流(Ic)：100mA，3A

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V

特征频率：100MHz

功率：1.5W

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：518，"12+"：27000，"14+"：24000，"16+"：4500}

销售单位：个

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"09+"：4603，"15+"：63499}

销售单位：个

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：12000}

销售单位：个

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：30000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：24000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：1kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"11+"：34500，"9999"：599}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：11920}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：30000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"11+"：3233}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：4.7千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 150 @ 2A，2V

集电极电流(Ic)：100mA，3A

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V

特征频率：100MHz

功率：1.5W

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"06+"：6000，"09+"：200，"10+"：966666，"15+"：6000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：8000，"12+"：3539，"13+"：4000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，15V

特征频率：280MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"09+"：12200，"11+"：3000，"13+"：23530，"14+"：9000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：27208}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：40@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"07+"：323}

销售单位：个

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：1000，"11+"：990，"12+"：2000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 2A，2V

集电极电流(Ic)：100mA，3A

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V

特征频率：100MHz

功率：1.5W

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"13+"：204000，"12+"：15275，"09+"：200，"9999"：2500}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

电阻比：10千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA. 2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，15V

特征频率：280MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

电阻比：22千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，15V

特征频率：280MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1