销售单位：个
规格型号(MPN)：AP1013CEN
上升时间：超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-30°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：5A
电源电压：2.7V~5.5V
峰值灌电流：1.3A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN8841MPX
上升时间：ESD，过压，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：2.7V~5.5V
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL55110IVZ-T7A
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：3.5A
电源电压：2.7V~5.5V
峰值灌电流：100mA
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL55110IVZ-T7A
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：3.5A
电源电压：2.7V~5.5V
峰值灌电流：100mA
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"15+"：11120，"18+"：32938，"MI+"：12500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：TND315S-TL-2H
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：1A
电源电压：4.5V~25V
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL55110IVZ-T7A
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：3.5A
电源电压：2.7V~5.5V
峰值灌电流：100mA
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL55110IVZ-T7A
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：3.5A
电源电压：2.7V~5.5V
峰值灌电流：100mA
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL55110IVZ-T7A
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：3.5A
电源电压：2.7V~5.5V
峰值灌电流：100mA
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN8841MPX
上升时间：ESD，过压，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：2.7V~5.5V
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL55110IVZ-T7A
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：3.5A
电源电压：2.7V~5.5V
峰值灌电流：100mA
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL55110IVZ-T7A
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：3.5A
电源电压：2.7V~5.5V
峰值灌电流：100mA
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"14+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：TND323VD-TL-H
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：800mA，1A
电源电压：4.5V~25V
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN8841MPX
上升时间：ESD，过压，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：2.7V~5.5V
驱动配置：半桥（2）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AP1013CEN
上升时间：超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-30°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：5A
电源电压：2.7V~5.5V
峰值灌电流：1.3A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN8841MPX
上升时间：ESD，过压，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：2.7V~5.5V
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"MI+"：3440}
销售单位：个
规格型号(MPN)：TND314S-TL-2H
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：1A
电源电压：4.5V~25V
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3
上升时间：击穿，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AP1013CEN
上升时间：超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-30°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：5A
电源电压：2.7V~5.5V
峰值灌电流：1.3A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AP1013CEN
上升时间：超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-30°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：5A
电源电压：2.7V~5.5V
峰值灌电流：1.3A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：816psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PWD13F60
上升时间：UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：32A
电源电压：15V
峰值灌电流：8A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：托盘
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN8841MPX
上升时间：ESD，过压，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：2.7V~5.5V
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AP1013CEN
上升时间：超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-30°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：5A
电源电压：2.7V~5.5V
峰值灌电流：1.3A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AP1013CEN
上升时间：超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-30°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：5A
电源电压：2.7V~5.5V
峰值灌电流：1.3A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：816psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PWD13F60
上升时间：UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：32A
电源电压：15V
峰值灌电流：8A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：托盘
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3
上升时间：击穿，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN8841MPX
上升时间：ESD，过压，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：2.7V~5.5V
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD6221HFP-TR
上升时间：限流，超温，过压，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~85°C（TA）
负载类型：电感
电源电压：6V~15V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL55110IVZ-T7A
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：3.5A
电源电压：2.7V~5.5V
峰值灌电流：100mA
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
