品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
包装规格(MPQ):100psc
规格型号(MPN):TC4451VOA
峰值拉电流:13A
电源电压:4.5V~18V
驱动配置:低端
包装方式:管件
工作温度:-40℃~150℃
峰值灌电流:13A
驱动通道数:1
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
下降时间:32ns
上升时间:30ns
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:POWER INTEGRATIONS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
包装规格(MPQ):24psc
规格型号(MPN):2SC0435T2H0-17
电源电压:14.5V~15.5V
包装方式:托盘
下降时间:20ns
驱动配置:高压侧或低压侧
峰值拉电流:35A
峰值灌电流:35A
ECCN:EAR99
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
驱动通道数:2
工作温度:-40℃~85℃
上升时间:20ns
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6EDL04I06NTXUMA1
包装方式:卷带(TR)
下降时间:26ns
驱动配置:半桥
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:13V~17.5V
上升时间:60ns
驱动通道数:6
工作温度:-40℃~125℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27712DR
峰值灌电流:1.8A
下降时间:10ns
上升时间:16ns
电源电压:10V~20V
峰值拉电流:2.8A
包装方式:卷带(TR)
驱动配置:半桥
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
驱动通道数:2
工作温度:-40℃~125℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:IXYS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IXDI630YI
峰值灌电流:30A
电源电压:12.5V~35V
驱动配置:低端
包装方式:管件
工作温度:-55℃~150℃
峰值拉电流:30A
驱动通道数:1
下降时间:11ns
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
上升时间:11ns
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:IXYS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IXDD630MCI
电源电压:9V~35V
包装方式:Tube
峰值灌电流:30A
驱动配置:低端
工作温度:-55℃~150℃
峰值拉电流:30A
驱动通道数:1
下降时间:11ns
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
上升时间:11ns
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
包装规格(MPQ):100psc
规格型号(MPN):MCP1407-E/SN
下降时间:20ns
电源电压:4.5V~18V
驱动配置:低端
包装方式:管件
峰值拉电流:6A
工作温度:-40℃~150℃
驱动通道数:1
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
上升时间:20ns
峰值灌电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:IXYS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IXDI609CI
下降时间:15ns
驱动配置:低端
峰值灌电流:9A
包装方式:管件
上升时间:22ns
电源电压:4.5V~35V
工作温度:-55℃~150℃
驱动通道数:1
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:IXYS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IXDN602SIATR
驱动配置:低端
峰值灌电流:2A
电源电压:4.5V~35V
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
下降时间:6.5ns
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
驱动通道数:2
上升时间:7.5ns
峰值拉电流:2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6EDL04N06PTXUMA1
电源电压:10V~17.5V
包装方式:卷带(TR)
下降时间:26ns
驱动配置:半桥
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
上升时间:60ns
驱动通道数:6
工作温度:-40℃~125℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
包装规格(MPQ):60psc
规格型号(MPN):TC4422AVPA
下降时间:33ns
上升时间:38ns
电源电压:4.5V~18V
驱动配置:低端
峰值灌电流:10A
包装方式:管件
工作温度:-40℃~150℃
驱动通道数:1
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:10A
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
包装规格(MPQ):100psc
规格型号(MPN):MCP1405-E/SN
峰值拉电流:4.5A
上升时间:15ns
电源电压:4.5V~18V
驱动配置:低端
包装方式:管件
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~150℃
峰值灌电流:4.5A
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
驱动通道数:2
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
包装规格(MPQ):40psc
规格型号(MPN):UCC21530QDWKQ1
工作温度:-40℃~130℃
峰值灌电流:4A
上升时间:6ns
包装方式:管件
峰值拉电流:6A
下降时间:7ns
电源电压:3V~18V
ECCN:EAR99
驱动配置:半桥
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
驱动通道数:2
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:IXYS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IXDD614CI
上升时间:25ns
驱动配置:低端
峰值拉电流:14A
包装方式:管件
下降时间:18ns
电源电压:4.5V~35V
工作温度:-55℃~150℃
驱动通道数:1
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值灌电流:14A
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):UCC27710D
峰值灌电流:500mA
下降时间:20ns
包装方式:管件
电源电压:10V~20V
ECCN:EAR99
驱动配置:半桥
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
驱动通道数:2
工作温度:-40℃~125℃
上升时间:40ns
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC21530DWKR
工作温度:-40℃~130℃
峰值灌电流:4A
上升时间:6ns
峰值拉电流:6A
下降时间:7ns
电源电压:3V~18V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
驱动配置:半桥
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
驱动通道数:2
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27712DR
峰值灌电流:1.8A
下降时间:10ns
上升时间:16ns
电源电压:10V~20V
ECCN:EAR99
峰值拉电流:2.8A
包装方式:卷带(TR)
驱动配置:半桥
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
驱动通道数:2
工作温度:-40℃~125℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP1416T-E/OT
峰值拉电流:1.5A
下降时间:20ns
电源电压:4.5V~18V
驱动配置:低端
工作温度:-40℃~150℃
峰值灌电流:1.5A
包装方式:卷带(TR)
驱动通道数:1
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
上升时间:20ns
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
包装规格(MPQ):100psc
规格型号(MPN):MCP1407-E/SN
下降时间:20ns
电源电压:4.5V~18V
驱动配置:低端
包装方式:管件
峰值拉电流:6A
工作温度:-40℃~150℃
驱动通道数:1
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
上升时间:20ns
峰值灌电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TC4421AVAT
下降时间:33ns
上升时间:38ns
电源电压:4.5V~18V
驱动配置:低端
峰值灌电流:10A
包装方式:管件
工作温度:-40℃~150℃
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:10A
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):UCC27712D
峰值灌电流:1.8A
下降时间:10ns
上升时间:16ns
包装方式:管件
电源电压:10V~20V
ECCN:EAR99
峰值拉电流:2.8A
驱动配置:半桥
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
驱动通道数:2
工作温度:-40℃~125℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):UCC27710D
峰值灌电流:500mA
下降时间:20ns
包装方式:管件
电源电压:10V~20V
驱动配置:半桥
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
驱动通道数:2
工作温度:-40℃~125℃
上升时间:40ns
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
包装规格(MPQ):100psc
规格型号(MPN):MCP14A1201-E/SN
上升时间:25ns
峰值拉电流:12A
电源电压:4.5V~18V
驱动配置:低端
包装方式:管件
下降时间:25ns
峰值灌电流:12A
驱动通道数:1
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
工作温度:-40℃~125℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:SII
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
包装规格(MPQ):60psc
规格型号(MPN):TC4405CPA
峰值拉电流:1.5A
工作温度:0℃~70℃
电源电压:4.5V~18V
驱动配置:低端
包装方式:管件
峰值灌电流:1.5A
下降时间:40ns
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
驱动通道数:2
上升时间:40ns
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6EDL04N02PRXUMA1
电源电压:10V~17.5V
包装方式:卷带(TR)
下降时间:26ns
驱动配置:半桥
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
上升时间:60ns
驱动通道数:6
工作温度:-40℃~125℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:IXYS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IXDI630MYI
电源电压:9V~35V
峰值灌电流:30A
驱动配置:低端
包装方式:管件
ECCN:EAR99
工作温度:-55℃~150℃
峰值拉电流:30A
驱动通道数:1
下降时间:11ns
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
上升时间:11ns
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP1402T-E/OT
峰值灌电流:500mA
上升时间:19ns
下降时间:15ns
电源电压:4.5V~18V
驱动配置:低端
峰值拉电流:500mA
工作温度:-40℃~150℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
驱动通道数:1
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
包装规格(MPQ):60psc
规格型号(MPN):MCP1406-E/P
下降时间:20ns
电源电压:4.5V~18V
驱动配置:低端
包装方式:管件
峰值拉电流:6A
驱动通道数:1
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
上升时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
峰值灌电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27710DR
峰值灌电流:500mA
下降时间:20ns
电源电压:10V~20V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
驱动配置:半桥
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
驱动通道数:2
工作温度:-40℃~125℃
上升时间:40ns
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4422AVOA713
下降时间:33ns
上升时间:38ns
电源电压:4.5V~18V
驱动配置:低端
峰值灌电流:10A
工作温度:-40℃~150℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
驱动通道数:1
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:10A
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货