品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED020I12FAXUMA2
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：13V~20V
峰值灌电流：2.4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED020I12FAXUMA2
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：13V~20V
峰值灌电流：2.4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4451VAT
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4452VAT
上升时间：30ns
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED020I12FAXUMA2
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：13V~20V
峰值灌电流：2.4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4451VOA
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4452VOA
上升时间：30ns
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4452VOA
上升时间：30ns
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4452VOA713
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4452VAT
上升时间：30ns
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4451VOA
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED020I12FAXUMA2
上升时间：30ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：13V~20V
峰值灌电流：2.4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4451VOA
上升时间：30ns
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4451VOA
上升时间：30ns
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"13+"：11，"18+"：2，"21+"：234}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED020I12FAXUMA2
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：13V~20V
峰值灌电流：2.4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4452VOA713
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4452VAT
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED020I12FAXUMA2
上升时间：30ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：13V~20V
峰值灌电流：2.4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4452VOA
上升时间：30ns
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED020I12FAXUMA2
上升时间：30ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：13V~20V
峰值灌电流：2.4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4451VMF
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED020I12FAXUMA2
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：13V~20V
峰值灌电流：2.4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED020I12FAXUMA2
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：13V~20V
峰值灌电流：2.4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4452VOA
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED020I12FAXUMA2
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：13V~20V
峰值灌电流：2.4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4451VAT
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4452VOA
上升时间：30ns
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4452VMF713
上升时间：30ns
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4451VMF
上升时间：30ns
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4452VOA
上升时间：30ns
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
