品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP14E11-E/P
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP14A1201-E/SN
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：12A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：12A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN614SI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN614YI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP14A1201-E/SN
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：12A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：12A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN614SI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI614YI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN614PI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD614SI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD614SI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD614SI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP14A1202-E/SN
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：12A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：12A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD614SI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN614CI
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN614PI
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD614SI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN614SI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN614YI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN614YI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN614CI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI614CI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI614PI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN614PI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN614PI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD614PI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD614PI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD614CI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD614PI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN614YI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN614CI
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
