包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4421CAT
上升时间：60ns
驱动通道数：1
下降时间：60ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609CI
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4405CPA
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP14E11-E/P
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP14A1201-E/SN
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：12A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：12A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP1404-E/SN
上升时间：15ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD609YI
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4421AVOA
上升时间：38ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712QDQ1
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4422CPA
上升时间：60ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：60ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4421AVPA
上升时间：38ns
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530QDWKQ1
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP14E5-E/P
上升时间：15ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712D
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP1407-E/AT
上升时间：20ns
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4421EPA
上升时间：60ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：60ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4422AVPA
上升时间：38ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4422CAT
上升时间：60ns
驱动通道数：1
下降时间：60ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4451VAT
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN609YI
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN604SI
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN604PI
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP1406-E/SN
上升时间：20ns
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP14A1201-E/SN
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：12A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：12A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP1407-E/P
上升时间：20ns
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712D
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4452VAT
上升时间：30ns
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4421AVOA
上升时间：38ns
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
