包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EMB1412MYE/NOPB
上升时间:14ns
驱动通道数:1
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:7A
电源电压:3.5V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
销售单位:个
规格型号(MPN):EMB1412MY/NOPB
上升时间:14ns
驱动通道数:1
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:7A
电源电压:3.5V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
销售单位:个
规格型号(MPN):EMB1412MY/NOPB
上升时间:14ns
驱动通道数:1
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:7A
电源电压:3.5V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
销售单位:个
规格型号(MPN):EMB1412MY/NOPB
上升时间:14ns
驱动通道数:1
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:7A
电源电压:3.5V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EMB1412MYE/NOPB
上升时间:14ns
驱动通道数:1
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:7A
电源电压:3.5V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
生产批次:{"12+":12311,"14+":13500}
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EMB1412MYE/NOPB
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:7A
电源电压:3.5V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
销售单位:个
规格型号(MPN):EMB1412MY/NOPB
上升时间:14ns
驱动通道数:1
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:7A
电源电压:3.5V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EMB1412MYE/NOPB
上升时间:14ns
驱动通道数:1
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:7A
电源电压:3.5V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EMB1412MYE/NOPB
上升时间:14ns
驱动通道数:1
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:7A
电源电压:3.5V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
生产批次:{"10+":5557,"15+":7471}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMB1412MY/NOPB
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:7A
电源电压:3.5V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
生产批次:{"10+":5557,"15+":7471}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMB1412MY/NOPB
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:7A
电源电压:3.5V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
生产批次:{"10+":5557,"15+":7471}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMB1412MY/NOPB
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:7A
电源电压:3.5V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
生产批次:{"10+":5557,"15+":7471}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMB1412MY/NOPB
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:7A
电源电压:3.5V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
生产批次:{"10+":5557,"15+":7471}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMB1412MY/NOPB
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:7A
电源电压:3.5V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
生产批次:{"12+":12311,"14+":13500}
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EMB1412MYE/NOPB
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:7A
电源电压:3.5V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):EMB1412MY/NOPB
峰值拉电流:7A
峰值灌电流:3A
上升时间:14ns
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
驱动通道数:1
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:3.5V~14V
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货