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销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC21530DWK

上升时间：6ns

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~130℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：3V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：40psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC21530QDWKQ1

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~130℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：3V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1407-E/AT

上升时间：20ns

驱动通道数：1

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：40psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC21530DWK

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~130℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：3V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC21530DWKR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~130℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

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驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1406-E/SN

上升时间：20ns

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

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峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1407-E/P

上升时间：20ns

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

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包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1407-E/P

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负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

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包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1407T-E/SN

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驱动通道数：1

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包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1407-E/MF

上升时间：20ns

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1406-E/SN

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负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

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包装方式：管件

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包装规格(MPQ)：40psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC21530DWK

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

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规格型号(MPN)：UCC21530DWK

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销售单位：个

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1407-E/SN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC21530DWK

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ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~130℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1406-E/SN

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负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1407-E/SN

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负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

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包装方式：管件

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规格型号(MPN)：UCC21530DWKR

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ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~130℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

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包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：40psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC21530DWK

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ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~130℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

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驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC21530DWKR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~130℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

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包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1407-E/SN

上升时间：20ns

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1407-E/MF

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1407-E/P

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负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

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规格型号(MPN)：UCC21530QDWKQ1

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驱动通道数：2

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1407-E/SN

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驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

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规格型号(MPN)：UCC21530DWKR

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ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~130℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

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包装清单：商品主体 * 1