销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN602SIATR
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI602SIATR
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN602SIATR
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN602SIATR
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDF602SIATR
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI602PI
上升时间：7.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI602PI
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP14E8-E/SN
上升时间：12ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDF602SIA
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP14E8-E/SN
上升时间：12ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI602SIA
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI602PI
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN602SIATR
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI602PI
上升时间：7.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDF602SITR
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN602PI
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN602PI
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN602SIATR
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN602SIATR
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN602SIATR
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN602PI
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI602PI
上升时间：7.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI602SIA
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDF602SIA
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI602SIA
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI602PI
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI602PI
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI602PI
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI602PI
上升时间：7.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN602SIA
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
