品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED21064S06JXUMA1
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
电源电压：10V~20V
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED2101S06FXUMA1
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
电源电压：10V~20V
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDL8124GXUMA1
上升时间：45ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：45ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED2106S06FXUMA1
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
电源电压：10V~20V
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAD7191M1X
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：10V~22V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAD7191M1X
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：10V~22V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED2110S06MXUMA1
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2320EFJ-LAE2
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：7.5V~14.5V
峰值灌电流：3.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP302155AMNTWG
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：2A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDL8124GXUMA1
上升时间：45ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：45ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED2101S06FXUMA1
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
电源电压：10V~20V
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED2101S06FXUMA1
上升时间：70ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
电源电压：10V~20V
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED2106S06FXUMA1
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
电源电压：10V~20V
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：1EDN6550BXTSA1
上升时间：1ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：1ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N-沟道MOSFET，SiCMOSFET
峰值拉电流：9.4A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：5.2A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED21814S06JXUMA1
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED21814S06JXUMA1
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED2101S06FXUMA1
上升时间：70ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
电源电压：10V~20V
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDL8124GXUMA1
上升时间：45ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：45ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDL8024GXUMA1
上升时间：45ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：45ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED2101S06FXUMA1
上升时间：70ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
电源电压：10V~20V
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN73912AMX
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2817DSTRPBF
上升时间：150ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
