品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED020I12FAXUMA2
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：13V~20V
峰值灌电流：2.4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4405CPA
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP14E11-E/P
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP1404-E/SN
上升时间：15ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712QDQ1
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED020I12FAXUMA2
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：13V~20V
峰值灌电流：2.4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530QDWKQ1
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP14E5-E/P
上升时间：15ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712D
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDL05N06PJXUMA1
上升时间：48ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：24ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
电源电压：10V~25V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：POWER INTEGRATIONS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SD315AI UL
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：18A
电源电压：15V
峰值灌电流：18A
驱动配置：半桥
包装方式：托盘
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712QDRQ1
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWKR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712DR
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN604SI
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN604SIATR
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDL05N06PJXUMA1
上升时间：48ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：24ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
电源电压：10V~25V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN604PI
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712D
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4405CPA
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED020I12FAXUMA2
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：13V~20V
峰值灌电流：2.4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP14E5-E/P
上升时间：15ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN602SIATR
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MAQ4124YME-VAO
上升时间：11ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：带
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712QDRQ1
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"22+"：5000，"23+"：16750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDL05N06PFXUMA1
上升时间：48ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：24ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
电源电压：10V~20V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
