销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP3420DR2G
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.6V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712QDQ1
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81155MNTXG
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81161MNTBG
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81253BMNTBG
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~+100℃
负载类型：MOSFET
电源电压：4.5V~5.5V
驱动配置：半桥
包装方式：Reel
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81146MNTBG
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD05473FN-7
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：0.3V~60V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712D
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP3420DR2G
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.6V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712QDRQ1
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712DR
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD05473FN-7
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：0.3V~60V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712D
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81062MNTWG
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81146MNTBG
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81161MNTBG
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5901BMNTBG
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81155MNTXG
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712QDRQ1
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81062MNTWG
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：{"09+"：157500，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP3418BDR2G
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.6V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD05473FNQ-7
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.7V~14V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：{"21+"：788924，"22+"：66000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81253MNTBG
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~5.5V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81151MNTBG
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~5.5V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：{"MI+"：2431}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5901DR2G
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0507AFN-7
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：8V~14V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81166MNTBG
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD05473FN-7
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：0.3V~60V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81155MNTXG
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ADI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LTC1693-1CS8#TRPBF
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：16ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~13.2V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
