包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2110SPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：3.3V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2110STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213STRPBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2110SPBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：3.3V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2113STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：3.3V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2113SPBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：3.3V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080MNTBG
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：800mA
电源电压：5.5V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2110PBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：3.3V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED2110S06MXUMA1
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2113STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：3.3V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2110PBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：3.3V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2113PBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：3.3V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2113STRPBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：3.3V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080MNTBG
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：800mA
电源电压：5.5V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2110STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2110PBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：3.3V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2113STRPBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：3.3V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2110STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：3.3V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080MNTBG
上升时间：19ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：800mA
电源电压：5.5V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2110STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：3.3V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213SPBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2113STRPBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：3.3V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2110PBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：3.3V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2113STRPBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：3.3V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2110PBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：3.3V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2113MTRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2113STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：3.3V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2110PBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：3.3V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
