品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP1404-E/SN
上升时间：15ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6622CBZ-T
上升时间：26ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：6.8V~13.2V
峰值灌电流：1.25A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21864STRPBF
上升时间：22ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP14E5-E/P
上升时间：15ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6622CRZ-T
上升时间：26ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：6.8V~13.2V
峰值灌电流：1.25A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4127YML-TR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP14E4-E/SN
上升时间：15ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~+150℃
负载类型：MOSFET；IGBT
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低边
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：{"20+"：1215，"23+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2186STRPBF
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21867SPBF
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP14E5-E/P
上升时间：15ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4126YMME
上升时间：20ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：{"23+"：9599}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2186SPBF
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6612CRZ-T
上升时间：26ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：10.8V~13.2V
峰值灌电流：1.25A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2186SPBF
上升时间：22ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2186SPBF
上升时间：22ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2186SPBF
上升时间：22ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21867STRPBF
上升时间：22ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4128YMME-TR
上升时间：20ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：CHL8510CRT
上升时间：21ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10.8V~13.2V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：{"14+"：425，"17+"：1139，"18+"：3000，"22+"：21000，"9999"：284}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21864PBF
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP14E4-E/P
上升时间：15ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2186STRPBF
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：{"14+"：425，"17+"：1139，"18+"：3000，"22+"：21000，"9999"：284}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21864PBF
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6612ACBZ-T
上升时间：26ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：10.8V~13.2V
峰值灌电流：1.25A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：{"14+"：425，"17+"：1139，"18+"：3000，"22+"：21000，"9999"：284}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21864PBF
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4128YMME-TR
上升时间：20ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP14E5-E/SN
上升时间：15ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0507AFN-7
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：8V~14V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21864STRPBF
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6612ACBZ-T
上升时间：26ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：10.8V~13.2V
峰值灌电流：1.25A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
