包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530QDWKQ1
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWKR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWKR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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库存：有货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
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峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWKR
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ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530QDWKQ1
上升时间：6ns
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
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峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：有货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWKR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWKR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530QDWKRQ1
上升时间：6ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWKR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWKR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：2313
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530QDWKRQ1
上升时间：6ns
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
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负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
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包装方式：管件
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库存：有货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530QDWKQ1
上升时间：6ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530QDWKRQ1
上升时间：6ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530QDWKQ1
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
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包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
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包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530QDWKQ1
上升时间：6ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
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包装方式：管件
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包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530QDWKQ1
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
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销售单位：个
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上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
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销售单位：个
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
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规格型号(MPN)：UCC21530DWKR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
