品牌：ROHM
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60213FV-CE2
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60213FV-CE2
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60213FV-CE2
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60213FV-CE2
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60213FV-CE2
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60213FV-CE2
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：2年内
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60213FV-CE2
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60213FV-CE2
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60213FV-CE2
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60213FV-CE2
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60213FV-CE2
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60213FV-CE2
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60213FV-CE2
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
